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LSI SAS 9361-8i和SAS3008 12 gb / s PCIe 3.0 RAID 阵列卡配置

LSI SAS 9361-8i和SAS3008 12 gb / s PCIe 3.0 RAID 阵列卡配置

  1. 开机,BIOS自检,可以看到设备硬盘信息,以及提示Ctrl+R进入Raid卡配置界面。

  2. 按Ctrl+R进入Raid卡配置界面,一般来说使用Ctrl+R进入Raid卡配置界面的Raid卡配置都通用。
    下面是具体操作。
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  3. 进入配置Raid阵列
    进入Raid配置界面后,可以简单查看硬盘状态,使用Ctrl+N和Ctrl+P可以左右切换菜单。
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目前无配置信息,此时磁盘状态为:“JBOD”,我们可以开始进行配置(如果磁盘状态已经是UG,则可以跳过步骤3创建UG)
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  1. 创建UG
    UG”; …”,按F2弹出菜单选择“Make Mega 将光标上移至“LSI 3)
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选中要使用的盘(空格选中),OK确认。
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  1. 创建VD
    Drive” Virtual !”,Enter进入配置界面,或者按F2,选择“Create Present Configuration 光标移至“No
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  2. 选择Raid级别。根据硬盘的数量和自己的需要选择,多块硬盘一般选择Raid5。
    填写VD名称,也就是这个整列的名称,方便记忆和区别,例如作为数据盘,可以标注DATA,选中VD成员,即Raid5组内的硬盘,如果条件许可,还可以留一块用做热备盘, 那个热备盘相当于帮Raid阵列多做多个备份,如果Raid陈列里其中一个盘坏了,这个热备盘就会顶替Raid里的那个坏盘,同时利用异或校验算法,把坏盘上面的数据原样做出来并存储在热备盘中。这样一来就等于Raid没受到损坏,然后你再找个一个同样的盘把坏盘替换掉,Raid和热备盘的状态又正常了!
    选择Advanced,进行高级配置。
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Through) 更改“写策略”(Write
Write-Through和Write-Back的区别
当CPU采用高速缓存时,它的写内存操作有两种模式:
  一种称为“穿透”(Write-Through)模式,在这种模式中高速缓存对于写操作就好像不存在一样,每次写时都直接写到内存中,所以实际上只是对读操作使用高速缓存,因而效率相对较低。
  另一种称为“回写”(Write-Back)模式,写的时候先写入高速缓存,然后由高速缓存的硬件在周转使用缓冲线时自动写入内存,或者由软件主动地“冲刷”有关的缓冲线。
Write Through和Write Back是阵列卡Cache的两种使用方式,也称为透写和回写。
通常有三种方法:

  1. write through:CPU向cache写入数据时,同时向memory(后端存储)也写一份,使cache和memory的数据保持一致。优点是简单,缺点是每次都要访问memory,速度比较慢。
  2. post write:CPU更新cache数据时,把更新的数据写入到一个更新缓冲器,在合适的时候才对memory(后端存储)进行更新。这样可以提高cache访问速度,但是,在数据连续被更新两次以上的时候,缓冲区将不够使用,被迫同时更新memory(后端存储)。
  3. write back:cpu更新cache时,只是把更新的cache区标记一下,并不同步更新memory(后端存储)。只是在cache区要被新进入的数据取代时,才更新memory(后端存储)。这样做的原因是考虑到很多时候cache存入的是中间结果,没有必要同步更新memory(后端存储)。优点是CPU执行的效率提高,缺点是实现起来技术比较复杂。
    Write Through也是RAID阵列卡的默认模式。
    当选用write through方式时,系统的写磁盘操作并不利用阵列卡的Cache,而是直接与磁盘进行数据的交互。而write Back方式则利用阵列Cache作为系统与磁盘间的二传手,系统先将数据交给Cache,然后再由Cache将数据传给磁盘。
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OK确认。 CnfigureHotSpare,配置热备盘(不需要配置热备盘则可以不勾选此项)。 Iitialize,初始化磁盘,选中后会提示提示此操作会丢失数据,选择OK继续。
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下面是如何配置热备盘,选择硬盘,按空格键选择,然后OK继续。
![在这里插入图片描述](https://img-blog.csdnimg.cn/fb49e9b79d2242c3bb2cc5eee95ef0f8.png

VD初始化
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Hot spare是热备盘

所谓热备就是那一块儿磁盘作为后备,如果那块儿磁盘损坏就自动顶上去,提供了冗错机制。当您用新的磁盘更换了故障磁后,待数据恢复后就又自动恢复到热备状态


http://www.kler.cn/a/321266.html

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