【氮化镓】低温对p-GaN HEMT迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅的影响
本期分享一篇低温对p-GaN HEMT 迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅影响进行表征和建模的研究论文。文章作者Shivendra Kumar Singh、Thien Sao Ngo、Tian-Li Wu（通讯作者）和Yogesh Singh Chauhan，分别来资源中国台湾阳明交通大学国际半导体技术学院、印度理工学院坎普尔分校电气工程系、中国台湾阳明交通大学电子研究所。文章发表在《Applied Physics Letters》期刊，发表日期是2024年10月7日，DOI为10.1063/5.0223576.
总结：
本文的研究目的在于全面表征和建模p-GaN HEMT 在低温条件下的电气特性，特别是其迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅。研究团队通过实验测量和理论建模，系统地分析了这些器件在10 K至300 K温度范围内的性能变化。研究的动机源于p-GaN HEMT在低温电子应用中的潜力，尤其是在功率电子领域，如超导系统、量子计算和航天器等。这些应用要求器件在极端低温下仍能保持高效和可靠的操作