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【青牛科技】SCU2N60E/SCD2N60E N沟道增强型功率场效应晶体管采用Silicore先进的VDMOS技术生产

article 2024/12/3 19:03:32

描述：

这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Silicore先进的VDMOS技术生产，为设计人员提供了卓越的开关性能、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益。

特点：

  • 在VGS=10V时，600V，2.0A，Rdson=4.5Ω（典型值）
  • 低栅极电荷
  • 快速切换
  • 坚固的栅极氧化物技术100%雪崩测试

http://www.kler.cn/a/420249.html

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