THB6128安森美步进电机驱动芯片

THB6128-TLM-H 是一款性能出色的高细分两相混合式步进电机驱动芯片：

主要特性

• 驱动与耐压电流：采用双全桥 MOSFET 驱动，低导通电阻 Ron=0.55Ω，可降低导通损耗。最高耐压 36VDC，峰值电流 2.2A，工作电流 1.5A，能适配多种电源电压和不同功率步进电机。
• 细分功能：提供 1、1/2、1/4、1/8、1/16、1/32、1/64、1/128 等多种细分选择，让电机运行更平稳，定位更精准。
• 控制功能：具备自动半流锁定功能，支持快衰、慢衰、混合式衰减三种衰减方式，可优化电机运行性能。内置 1 通道 PWM 电流控制步进电机驱动电路，仅需 Step 信号输入就可进行 Step 励磁，支持正反向控制。
• 保护功能：集成温度保护、过流保护及输出短路保护功能。内置 TSD 电路，可防止芯片在异常温度下工作；输出短路保护电路可避免因短路导致芯片损坏。

引脚功能

电气参数

• 最高额定值：Ta=25°C 时，规定了芯片可承受的极限参数。
• 正常运行参数范围：Ta=30-85°C，在此温度区间芯片能正常工作。
• 电气特性：Ta=25°C，VREF=1.5V，VM=24V 时，给出了芯片的各项电气性能指标。

使用说明

• 细分设定：通过 M1、M2、M3 三个端口的不同组合实现不同细分数，如 M1、M2、M3 全为低电平时，细分数为 1；全为高电平时，细分数为 1/128。
• 衰减模式设定：通过 FDT 端口的电压调节，选择不同的衰减模式，以获得更好的驱动效果。
• 电流设定：利用 VREF 端口的电压设定，结合外部电阻来确定驱动电流的大小，公式为 Io（100%）=VREF*（1/5）*（1/Rs），Rs 为 NFA (B) 外接检测电阻。
• 待机功能：ST/VCC 端口为低电平时，芯片进入待机模式，所有逻辑被重置，输出关闭；为高电平时恢复正常工作模式。
• CLK 脉冲输入端：用于接收脉冲信号，控制电机的运动。
• RESET 上电复位端：低电平时，输出为初始模式，励磁位置被固定在初始位置。
• ENABLE 使能端：低电平时，输出强制关闭，为高阻状态；高电平时根据 CLK 输入信号进行输出。
• DOWN、MO 输出端：均为 Open Drain 连接，处于设定状态时，输出低电平。
• 斩波频率设定功能：通过 OSC1 端口与 GND 之间的电容连接设定斩波频率，公式为 Fcp=1/(Cosc1/10×10-6)(Hz)。
• 输出短路保护电路：检测到短路情况，会将输出置于待机模式，短路解除后可恢复正常。
• 通电锁定电流切换用 Open Drain 端子：根据 CLK 输入信号的变化控制输出状态，通过 OSC2 端口与 GND 之间的电容连接设定通电锁定电流切换时间 Tdown。

应用注意事项

• 电源选择：芯片击穿电压为 36V（空载状态下），考虑电机运行产生的感应电动势，推荐最高使用 32V 以下电源。
• 电阻接入：在四个电机输出端与地之间需接入电阻 Rx，阻值视供电电压而定，VM/Rx 在 5mA 左右，以减弱毛刺对芯片的损坏。
• 布线要求：画芯片管脚的地线时要尽可能粗，检测电阻和芯片之间的连线要短、粗，芯片的数字地与模拟地之间布线要尽量短。
• 安全间距：画 PCB 时，芯片周围的安全间距至少要 15mil（0.3mm），在四个电机输出端和电源端尤其要注意。
• 电容放置：在靠近 29 脚（VCC）、2、5、11 脚（VM）管脚处各放置 1 个 0.1uf 的电容5。