【氮化镓】香港科技大学陈Kevin-单片集成GaN比较器
一、引言（Introduction）
GaN HEMT的重要性
文章开篇便强调了氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在下一代功率转换系统中的巨大潜力。GaN HEMT具备高开关频率、低导通电阻、高击穿电压以及宽工作温度范围等优势，使其成为功率电子领域的热门研究对象。这些特性使得GaN HEMT能够在高功率密度和高效率的应用场景中发挥重要作用，例如在电动汽车、可再生能源系统和5G通信基站等领域。
周边电路的集成需求
为了充分发挥GaN HEMT的潜力，文章指出需要将用于感测、保护、控制和驱动的周边电路与GaN功率器件单片集成，以实现更高的能效。这种集成不仅能够减少系统的体积和重量，还能提高系统的可靠性和性能。例如，通过集成驱动电路，可以减少信号传输延迟，提高系统的响应速度；集成保护电路则能够实时监测器件的工作状态，防止过流、过热等故障的发生。
GaN功率集成电路的发展现状
文章回顾了GaN功率集成电路（IC）的发展历程，指出以往的研究主要集中在基于增强型/耗尽型（E/D-mode）n通道场效应晶体管（