Rohm发布TOLL封装650V GaN HEMT，引领汽车用GaN器件大规模生产新浪潮
Rohm震撼发布TOLL封装650V GaN HEMT，引领汽车用GaN器件大规模生产新浪潮。在创新的TOLL（TO LeadLess）封装技术的怀抱中，Rohm精心孕育出650V GaN HEMT这一瑰宝，此技术正如一股强劲东风，日益吹拂于高功率处理需求的广阔天地，特别是在工业设备的钢铁脉络与汽车系统的智能血脉之中。
此番发布，Rohm携手ATX，将封装的匠心制造巧妙外包，共绘科技蓝图。回溯至2023年4月，Rohm已扬帆起航，批量产出其首代650V GaN HEMT，随后更以破竹之势，发布了将栅极驱动器与650V GaN HEMT巧妙融合于单一封装之中的功率级IC，犹如科技森林中的参天大树，屹立不倒。
而今，Rohm再次以卓越之姿，开发出在TOLL封装中蕴藏第二代元件的惊世之作，并将其优雅地嵌入现有的DFN8080封装家族，犹如为Rohm的650V GaN HEMT封装系列插上翅膀，翱翔于更小、更高效的高功率应用市场蓝天，精准捕捉市场需求的风向标。
据悉，此新品在器件指标上勇攀高峰，傲视群雄，该指标犹如桥梁，巧妙连接ON电阻与输出电荷（RDS（ON）×Qoss）的彼岸。而在2024年12月10日宣布的合作盛宴上，台积电与ATX携手共进，台积电担纲前端WARE流程的领航者，ATX则深耕后端进程，共筑科技长城。
更值得一提的是，Rohm与ATX已立下鸿鹄之志，共谋汽车级GaN器件的生产大业。面对汽车行业对GaN器件的热烈追捧，Rohm不仅矢志不渝地推进自主研发，更以开放的姿态，加强合作伙伴关系，犹如铺设高速公路，确保汽车级GaN器件的迅速问世，共赴科技未来的璀璨旅程。
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