单片机flash存储也做磨损均衡

       最近在做一个项目，需要保存设置数据，掉电不丢失。那么首先想到的是加个24c02，是一个eeprom，但是客户板太小，没有办法进行扩展。后面就找了一个带ee的OTP单片机，发现擦写次数有限，只有1000次，这明显就不是ee，就是一片flash。感觉1000次的擦写，太少了，那怎么样才能提高使用次数呢？       

         后面就想到，当前的很多固态硬盘都不是slc的颗粒，也同样可以用好久。那么是使用什么技术达到呢，那就是磨损均衡。

        既然固态硬盘可以做磨损均衡，达到长时间使用，那就想想办法，对单片机的flash操作也做个简单的磨损均衡。因为考虑到单片机的资源有限，就做个简单一点的方法好了，而且需要存储的数据也不多，不用考虑太复杂，越简单越好。

         实现方法如下：

        1.在单片机内存建立一个页缓冲，把需要存储的数据都都按照一定顺序保存在缓存里面

        2.做个指向单片机内部flash的一个页指针，指向当前存储页

        3.在当前页在里面做个55标记，用与和空白页进行区分，方便查找搜索当前页数据。

        4.每修改一次参数，就往下一页写，并把当前页擦除。

        5.这样就可以实现页面的均衡磨损。

下面就做个示意图

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/*页指针*/
byte ucPage=2;
/*页缓存*/
byte aucPageDatBuf[8]=page2;

page0:/FFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFF/

page1:/FFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFF/

page2:/55Dat1Dat2***************Dat7/   

page3:/FFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFF/

_____________________________________

/*页指针*/
byte ucPage=3;
/*页缓存*/
byte aucPageDatBuf[8]=page3;

page0:/FFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFF/

page1:/FFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFF/

page2:/FFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFF/

page3:/55Dat1Dat2***************Dat7/   

 _____________________________________

/*页指针*/
byte ucPage=0;
/*页缓存*/
byte aucPageDatBuf[8]=page0;

page0:/55Dat1Dat2***************Dat7/   

page1:/FFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFF/

page2:/FFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFF/

page3:/FFFFFFFFFFFFFFFFFFFFFF/

      如此循环。。。。。。。。。

       按照这个思路，每一页可以擦写1000次，那么有n个页面就可以擦写1000*n次，这样把空白的flash充分利用起来，就可以大大增加非易失性参数的存储器的擦写次数。

     这种方法对flash单片机存储参数同样适用。