MFU（Mask Field Utilization）
先验知识：通常12寸晶圆为300mm直径圆形，Mask最大为26mm x 33mm矩形。
MFU就是光刻掩膜版有效利用比例。实际mask size = die_area x N + scribe_line_area, N是一张mask内die数量，受限于scanner(推测是曝光的机器)，mask尺寸最大可以做到26mm x 33mm，因此MFU 的计算公式是(die_area x N + scribe_line_area) / (26mm x 33mm)。理想情况是MFU做到100%，这样mask尺寸可以做到最大，曝光的次数就最小，曝光成本最低。但现实情况很难做到100%，通常会要求在80%以上，越高越好，也就是要优化die的尺寸，尽量将26mm x 33mm的尺寸用起来，这就是MFU。
假如Die是18mmx18mm=324mm2, 那么Mask内部只能放一颗Die。调整Die形状为12mmx27mm，那么Mask内部可以放两颗Die。此时根据台积电提供了Die Size Advisor工具，调整Die形状结果是会提升MFU, 但对GDPW（Gross Die per Wafe）几乎没有影响。
可见，改变Die形状可以提高MFU, 但可能不会提高GDPW。
MFU越小，需要曝光的次数就越多，影响晶圆厂的工序和成本。因此TSMC有相应的鼓励政策，举例如下：
| Actual | 折扣 |
| MFU ≥ 95% | -3% |
| 90% ≤ MFU ＜ 95% | -2% |
| 85% ≤ MFU ＜ 90% | -1% |
| 80% ≤ MFU ＜ 85% | 0% |
| 75% ≤ MFU ＜ 80% | 1% |
因此，芯片Die size可能并不是越小越好，因为如果适当增加Die size从而将MFU提升一个档次，因为折扣的增加，虽然GDPW下降了，但是整体成本可能反而降低了。