DDR3 SDRAM操作流程
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DDR3 SDRAM的相关操作主要包括上电(Power on)、复位(Reset procedure)、初始化(Initialization)、ZQ对齐(ZQ calibration)、模式寄存器配置(MRS)、自刷新(Selfrefresh)、刷新(Refreshing)、激活(Activating)、读(Reading)、写(Writing)、预充电(Precharging)及低功耗模式
下的相关操作等,而 DDR3 存储控制器的主要功能就是按照操作流程的要求,实现对
DDR3存储设备的正确合理的访问。
（1）按照操作流程
（2）命令缩写解释
1. 上电（Power on）
- 过程：当DDR3 SDRAM接收到电源供应时，它首先进入上电状态。这个过程包括电源稳定以及内部电路的初始化。
- 时间要求：上电后需要等待一段时间（通常为200us）以确保电源稳定，随后才能进行后续的复位和初始化操作。
2. 复位（Reset procedure）
- 过程：复位过程用于将DDR3 SDRAM的内部状态机重置到初始状态。复位可以通过外部信号（如RESET#引脚）或内部机制触发。
- 两种类型：
- 首次上电复位：发生在DDR3 SDRAM首次上电时，需要较长的复位时间（约200us）。
- 无电源中断复位：在DDR3 SDRAM已经上电且处于低功耗模式（如自刷新或Power-Down模式）后，重新进入正常工作状态前进行的复位，复位时间较短（约100ns）。
3. 初始化（Initialization）
- 过程：初始化过程包括上电后的多个步骤，如模式寄存器设置（MRS）、ZQ校准等。
- 步骤：
- 发送模式寄存器设置命令（MRS），配置DDR3 SDRAM的工作模式。
- 执行ZQ校准（ZQ Calibration），调整输出驱动器和ODT（On-Die Termination）的电阻值，以优化信号完整性。
- 完成其他必要的初始化设置，如DLL（Delay-Locked Loop）复位和校准。
4. ZQ对齐（ZQ Calibration）
- 目的：ZQ校准用于自动调整DDR3 SDRAM的输出驱动器和ODT的电阻值，以补偿PCB（印刷电路板）上的信号损失和变化，确保信号的完整性和稳定性。
- 过程：通过发送ZQ校准命令（ZQCL和ZQCS），DDR3 SDRAM会测量其输出信号的阻抗，并调整内部电阻值以达到最佳匹配。
5. 模式寄存器配置（MRS）
- 目的：模式寄存器（MR0-MR3）用于定义DDR3 SDRAM的各种可编程操作模式，如突发长度、CAS延迟、写恢复时间等。
- 过程：通过发送模式寄存器设置命令（MRS），将配置信息写入模式寄存器中。配置顺序通常为MR2、MR3、MR1、MR0。
6. 自刷新（Self-Refresh）
- 目的：自刷新模式允许DDR3 SDRAM在不需要外部时钟信号的情况下保持存储的数据不丢失。
- 过程：当DDR3 SDRAM进入自刷新模式时，它会定期刷新内部存储单元以防止数据丢失。此时，只有CKE（时钟使能）和RESET#（复位）信号保持有效。
7. 刷新（Refreshing）
- 目的：刷新操作是DDR3 SDRAM维持数据完整性的关键过程，用于防止存储单元中的电荷泄漏导致数据丢失。
- 过程：每隔一段时间（tREFI），DDR3 SDRAM会发送刷新命令以重新充电存储单元中的电容。
8. 激活（Activating）
- 目的：在对DDR3 SDRAM进行读/写操作之前，需要先激活目标行（Row）。
- 过程：通过发送行激活命令（ACT）和相应的行地址，DDR3 SDRAM会打开指定的行以便进行后续的读/写操作。
9. 读（Reading）和写（Writing）
- 读操作：在行激活后，发送列地址和读命令（READ）以从DDR3 SDRAM中读取数据。
- 写操作：同样在行激活后，发送列地址和写命令（WRITE）以及要写入的数据。
10. 预充电（Precharging）
- 目的：预充电操作用于关闭已经激活的行，以便可以激活其他行进行读/写操作。
- 过程：通过发送预充电命令（PREA或PREALL）和相应的Bank地址（如果需要），DDR3 SDRAM会关闭指定的Bank或所有Bank中的已激活行。
11. 低功耗模式
- 目的：低功耗模式允许DDR3 SDRAM在不需要进行读/写操作时降低功耗。
- 类型：包括Power-Down模式（关闭所有Bank）和Active Power-Down模式（保持Bank激活但停止内部时钟）。