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VD2811A SOP-8封装 可直接替代XB8886G芯片 大电流充放电锂保芯片

article 2024/11/13 12:23:43

        VD2811A内置高精度电压检测电路和延迟电路以及内置MOSFET，是用于单节锂离子/锂聚合物可再充电电池的保护IC。
        本IC适合于对1节锂离子/锂聚合物可再充电电池的过充电、过放电和过电流进行保护。

VD2811A具备如下特点
高精度电压检测电路
过充电检测电压4.30V    精度±50mV
过充电释放电压4.15V    精度±70mV
过放电检测电压2.40V    精度±100mV
过放电释放电压3.00V    精度±100mV
各延迟时间由内部电路设置
过充电检测延迟时间         典型值 120ms
过放电检测延迟时间         典型值 120ms
放电过流检测延迟时间     典型值 8ms
低耗电流
工作模式典型值3.0μA，(VDD=3.5V)

过放电模式典型值0.4μA，(VDD=2.0V)
允许向0V电池充电。
内置过温保护
导通内阻常态16mΩ,9A过流保护
三重过放电流检测保护
封装:SOP-8     

 典型应用：

VD2811A是一款大电流充放电的锂保芯片，可以直接替代XB8886G。内阻上面也是基本一致的，性价比较高。

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