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【光电融合集成电路制造与封测】第四讲:扩散工艺,扩散的类型,恒定表面源扩散,限定表面源扩散,硼扩散


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目录

回顾:晶体管工艺中某中间流程

扩散定义

热扩散工艺

扩散类型

扩散类型:替位式扩散

扩散类型:填隙式扩散

扩散类型:替位-填隙式扩散

扩散方程

菲克第一扩散定律

菲克第二扩散定律

杂质的扩散参杂

恒定表面源扩散:

限定表面源扩散:

影响杂质分布的其它因素

1)点缺陷

(2)氧化增强扩散

(3)发射区推进效应

(4)横向扩散效应

扩散杂质源

常用杂质的扩散工艺

做个习题练练手呗


回顾:晶体管工艺中某中间流程

扩散定义

扩散(Diffusion)是一种自然现象,是由物质自身的热运动引起的,运动的结果 是使浓度分布区域均匀。

热扩散工艺

在高温(约1000℃),P型或N型杂质气氛中,使杂质向衬底硅片的确定区域内扩散,达到一定浓度,实现半导体定域、定量参杂的一种工艺方法。

扩散类型

替位式扩散:主要是ⅢA族和VA族,如Al、B、Ga、In、P、Sb、As等

填隙式扩散:主要是IA族和VⅢA族元素,如Na、K、Li、H、Ar等

填隙-替位式扩散:大多数过渡元素,如Au、Fe、Cu、Pt、Ni、Ag等

扩散类型:替位式扩散

扩散类型:填隙式扩散

扩散类型:替位-填隙式扩散

扩散方程

菲克第一扩散定律

单位时间内,通过垂直于扩散方向的单位面积上的扩散物质流量为扩散通量, 用 J 表示,单位为kg/(cm^2·s),其与该截面处的浓度梯度成正比。

D 为扩散系数;C 为扩散物质的体积浓度。

菲克第二扩散定律

在非稳态扩散过程中,在距离 x 处,杂质原子浓度随扩散时间的变化率等于 扩散通量随距离变化率的负值,即

杂质的扩散参杂

恒定表面源扩散:

在扩散过程中,硅片表面的杂质浓度Cs始终保持不变。将硅片处于恒定浓度的杂质氛围中,杂质扩散到硅表面很薄的表层,目的是预先硅扩散窗口掺入一定剂量的杂质。

初始条件:C(x, 0)=0, t=0;

边界条件:C(0, t)=Cs, x=0 C(∞, t)=0

求解扩散方程可得:

恒定表面源扩散,其表面杂质浓度基本上由该杂质在扩散温度(900~1200℃)下的固 溶度所决定,而在 900~1200℃的温度范围内,固溶度随温度变化不大。可见恒 定表面源扩散,很难通过改变温度来达到控制表面浓度的目的,这也是该扩散方法的不足之处。

限定表面源扩散:

在扩散过程中硅片外部无杂质的环境氛围,杂质源限定于扩散前

淀积在硅片表面极薄层内的杂质总量Q,扩散过程中Q为常量,依靠这些有限的杂

质向硅片内进行的扩散,目的是使杂质在硅中形成一定的分布或获得一定的结深。

两步扩散工艺: 恒定表面源扩散 ➕ 限定表面源扩散

影响杂质分布的其它因素

1)点缺陷

空位:扩散系数和激活能与空位的荷电状态有关

间隙:“踢出”效应影响扩散速度

(2)氧化增强扩散

在热氧化过程中原存在硅内的某些掺杂原子显现出更高的扩散性,称为氧化增强扩散(Oxidation Enhanced Diffusion, OED)。

(3)发射区推进效应

在NPN窄基区晶体管制造中,如果基区和发射区分别扩硼和扩磷,则发现在发射区正下方的基区(内基区)要比不在发射区正下方的基区(外基区)深,即在发射区正下方硼的扩散有了明显的增强。

(4)横向扩散效应

扩散杂质源

扩散杂质源:杂质源为气态

气态杂质源多为杂质的氢化物或者卤化物,这些气体的毒性很大,而且易燃易炸,操作上要十分小心,实际生产中很少采用。

液态源扩散:杂质源为液态

系统简单,操作方便,生产效率高,重复性和均匀性都较好,但它受温度,时间,流量,杂质源的液面大小及系统是否漏气等外界因素的影响较大,是目前使用较广泛的一种方法。

固态源扩散:杂质源为固态

固态源用法便利,对设备要求不高,操作与液态源基本相同,生产效率高,所以也是应用较多的一种方法(特别是硼扩散方面)。但源片易吸潮变质,在扩散温度较高时,还容易变形,这时就不如液态源扩散优越。

常用杂质的扩散工艺

硼扩散

工艺原理

工艺流程:清洗》预积淀》漂硼硅玻璃》再分布》测方块电阻

清洗:光刻出扩散窗口,并清洗

预淀积:恒定源扩散。硼源在炉内与炉子一起升温,通入氮气作为保护气,

漂硼硅玻璃:预淀积后的扩散窗口表面有薄薄的一层硼硅玻璃,应用HF去除硼硅玻璃。

再分布:限定源扩散。

测方块电阻:通过测方块电阻来了解掺杂情况。

磷扩散

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