STM32读写flash注意事项
STM32读写Flash时，需要注意以下事项以确保操作的正确性和可靠性：
一、写入操作注意事项
- 擦除操作：
- STM32内置Flash的写入操作必须遵循“先擦除，后写入”的原则。
- 擦除操作以页（或扇区）为单位进行，这意味着在写入新数据之前，需要擦除整个页（或扇区）。
- 写入单位：
- 写入操作必须以16位半字宽度数据为单位进行，允许跨页写。如果尝试写入非16位半字数据，将导致STM32内部总线错误。
- 数据对齐：
- 在某些情况下，写入数据需要四字节对齐。这取决于具体的STM32型号和Flash配置。
- 解锁与加锁：
- 在进行Flash编程操作（写或擦除）之前，必须解锁Flash。操作完成后，应加锁Flash以保护数据。
- 电压范围：
- Flash擦除和写入操作需要在特定的电压范围内进行。超出这个范围可能导致操作失败或损坏Flash。