EMC常用器件选型(一)
以下是常用EMC器件的选型表:
这里仅作为summary使用,每一个list都在前面的博文中记录过:
器件类别 | 主要用途 | 常见类型 | 选型关键参数 |
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电容器 | 滤波、高频旁路、去耦 | 陶瓷电容、铝电解电容、薄膜电容、钽电容 | 容值、额定电压、频率特性、ESR |
电感器 | 滤波、储能、抑制电磁干扰 | 功率电感、共模电感、贴片电感 | 电感值、额定电流、饱和电流、DCR |
磁珠 | 高频噪声抑制 | 片式磁珠 | 阻抗值(频率范围内)、额定电流 |
滤波器 | 抑制传导干扰 | 单级滤波器、多级滤波器、电源线滤波器 | 插入损耗、工作电压、电流能力 |
TVS二极管 | 抑制瞬态过电压保护电路 | 单向TVS、双向TVS | 钳位电压、反向工作电压、峰值脉冲功率 |
压敏电阻 | 抑制瞬态电压尖峰 | - | 电压等级、浪涌电流能力、能量吸收能力 |
ESD保护器件 | 静电放电保护 | ESD二极管、气体放电管(GDT)、陶瓷放电管(TSS) | 响应时间、钳位电压、静电容量 |
共模扼流圈 | 抑制共模干扰 | - | 阻抗特性、额定电流、漏感 |
屏蔽材料 | 电磁屏蔽,降低干扰 | 导电布、金属屏蔽罩、导电胶带 | 屏蔽效能、导电性、环境适应性 |
PCB设计器件 | 提升PCB EMC性能 | EMI吸波材料、屏蔽罩、接地弹片 | 屏蔽效能、尺寸、安装方式 |
浪涌保护器件 | 抑制浪涌电流 | 气体放电管(GDT)、压敏电阻、硅保护器件(SIDACtor) | 响应速度、浪涌承受能力 |
链接:Mickey_mu-CSDN博客
1、反向变位电压(VDRM):TVS的最大额定直流工作电压,此参数也可被认为是所保护电路的工作电压;
2、最大反向漏电流(IDRM):在工作电压下测得的流过TVS的最大电流;
3、击穿电压(VBR):TVS在此时阻抗骤然降低,处于雪崩击穿状态;
4、测试电流(lR):一般取I为1mA ;
5、最大钳位电压(Vc):当TVS管承受瞬态高能量冲击时,管子中流过大电流,峰值为lpp,端电压上升到Vc值就不再上升了,从而实现了保护作用;
6、最大峰值电流(lpp):TVS允许流过的最大浪涌电流,反映了TVS的浪涌承受能力;该参数选取需考虑TVS管工作温度,随着温度升高会出现降额
额定脉冲功率(PPPM):TVS能承受的最大峰值脉冲功耗值,是基于最大截止电压和此时的峰值脉冲电流;在实际应用中,该参数选取需考虑脉冲波形,同样以Vishay SMBJ系列TVS为例:PPPM值随之脉冲波形时间td增大而减小,故使用时应结合脉冲波形宽度;
结电容(C):由TVS雪崩结截面决定的,是在特定的1MHz频率下测得的。结电容的大小与TVS的电流承受能力成正比,结电容太大将使信号衰减(特别是高速信号时需考虑);
原文链接:https://blog.csdn.net/Mickey_mu/article/details/129029508