IGBT的损耗性分析
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IGBT和MOS的损耗谁大:
电子元器件常见失效模式:
电子元器件的失效模式多种多样，以下是一些常见的失效模式及其原因：
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开路：
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原因：内部连接断开、焊点断裂、导线断裂等。
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影响：电流无法通过，电路中断。
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短路：
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原因：绝缘材料损坏、焊锡桥接、内部结构损坏等。
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影响：电流绕过正常路径，可能导致过热或损坏其他元件。
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参数漂移：
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原因：老化、温度变化、湿度影响等。
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电子元器件的失效模式多种多样，以下是一些常见的失效模式及其原因：
开路：
原因：内部连接断开、焊点断裂、导线断裂等。
影响：电流无法通过，电路中断。
短路：
原因：绝缘材料损坏、焊锡桥接、内部结构损坏等。
影响：电流绕过正常路径，可能导致过热或损坏其他元件。
参数漂移：
原因：老化、温度变化、湿度影响等。