【氮化镓】基于SiC脉冲I-V系统研究Schottky型p-GaN HEMT正栅极ESD机制
这篇文章题为《Investigating Forward Gate ESD Mechanism of Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs Using a SiC-Based High-Speed Pulsed I-V Test System》，发表于《IEEE Electron Device Letters》2024年7月刊。研究重点是探讨肖特基型p-GaN门极高电子迁移率晶体管（HEMTs）在正向门极人体模型（HBM）静电放电（ESD）条件下的鲁棒性和机制。通过使用基于碳化硅（SiC）MOSFET的高速脉冲I-V测试系统，作者们详细分析了在显著但非破坏性的放电事件中观察到的高瞬态正向门极漏电流（IG），并揭示了其主要由AlGaN势垒的电子热发射所主导，这一过程受到p-GaN门极堆叠内部动态电容电压分配的影响。
1. 引言（Introduction）
1.1 背景介绍
在半导体器件领域，氮化镓（GaN）基高电子迁移率晶体管（HEMTs）因其优异的性能和广泛的应用前景而备受关注。特别是具有p-GaN门极的HEMTs，因其在增强型（