单片机——FLASH（2）
文章目录
- flash （stm32f40x 41x的内存映射中区域详解）
- flash写数据时
flash （stm32f40x 41x的内存映射中区域详解）
Main memory
主存储区
放置代码和常数
System memory
系统存储区
方式bootloader代码
OTP区
一次性可编程区
选项字节
配置读保护，BOR级别，软件/硬件看门狗以及期间处于待机或停止模式下的复位，相当于一些寄存器。
flash写数据时
flash写数据时，对闪存的任何操作都会锁住总线，这里锁住总线的锁定机制来控制访问点共享资源，有设备要访问资源，会在总线上设置一个锁定的状态，表示正在访问此资源，其他设备访问就会阻塞，直到被释放标志。
所以在进行写操作的时候有必要写禁止数据缓存
flash擦除数据是写1，写入数据的时候是写0
flash闪存的配置和代码建议查看这篇博客，详细清楚：
https://cloud.tencent.com/developer/article/2190978
在代码中。标准库会有禁止数据缓存的标志，即
FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);
但是在HAL库中并没有这一步，知识对flash区域上锁，解锁，HAL库函数有对标志位清除这一项，但是数据缓存标志禁止未提及。目前的一种说法是有可能是HAL库的代码优化导致，但是有待考察。手册中也没有提到。
在STM32中是一个32bits地址对应的一个字节，flash是以最小单位字节操作的。
32位（u32）地址是一个地址代表1字节，4个32位地址代表1个32位数
16位（u16）地址是一个地址代表1字节，2个16位地址代表1个16位数
另外，在控制寄存器FLASH_CR的时候，PSIZE的配置
目前查到的资料是两种说法
一种是：对应的电压只能对应并行位数，例如，电压范围在2.3-3.6v之间的只能是并行位数32
一种是：高电压可以对应并行位数及以下的，例如电压范围在2.3-3.6v之间的可以设置并行位数32,16,8
这里我建议遵循第一种
最后提一下，底层访问通讯总线都要有加锁过程，CPU与内存通讯时，有地址总线，总线的宽带意味着每次通讯读写的字节数。