三星与海力士发力决战HBM4
在8月中旬，三星宣布正在加速推进下一代HBM（High Bandwidth Memory）的研发，目标是在今年年底前完成HBM4的设计定稿（tape-out）。而SK海力士则继续保持其竞争力，计划在10月份完成HBM4的设计定稿，这一产品将被用来支持NVIDIA的Rubin AI芯片系列，此消息由Wccftech和ZDNet报道。
除了为NVIDIA提供HBM4之外，SK海力士还计划在未来几个月内为AMD的AI芯片进行HBM4的设计定稿。为了应对来自AI芯片巨头即将发布的新产品所带来的强劲需求，SK海力士正组建开发团队，以确保能够及时向NVIDIA和AMD供应HBM4。
根据SK海力士的产品路线图，该公司计划在2025年下半年推出12层堆叠的HBM4，并在2026年推出16层堆叠的版本。鉴于NVIDIA的Rubin系列芯片预计将在2026年问世，因此预计将采用HBM4 12Hi，每个GPU包含8个集群。
目前，SK海力士是NVIDIA AI芯片的主要HBM3e供应商。几个月前，SK海力士已经开始出货HBM3e产品，随后Micron也加入了这一行列。相比之下，三星的HBM3已经通过了NVIDIA的认证，但其HBM3e仍在努力通过NVIDIA的资格审查。
HBM4的引入对于SK海力士来说是一个重要的里程碑，因为它提供了最快的DRAM技术，具备卓越的能效和更高的带宽。HBM4将通道宽度加倍至2048位，而HBM3E仅为1024位。此外，它支持最多16层DRAM堆叠，高于HBM3e的12层，并提供24Gb和32Gb层的选择。这种进步将使每堆栈容量达到64GB，而HBM3e为32GB。